- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
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- 其它實驗室設(shè)備
聲表級石英晶片
- 型號：
- SiO2
- 產(chǎn)品概述：
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
軸向： | 36°AT cut/42.8°ST cut (+/-0.2°） | 直徑： | 76.2mm(+/-0.3mm）；100mm(+/-0.3mm）， | 基準面： | 22mm(+/-2mm）；22mm(+/-2mm） | 厚度： | 500um(+/-10um）；350um(+/-10um） | 傳播表面： | "+"面 Ra≤8? | 晶片背面： | 0.2um≤Ra≤0.7um | TTV： | ≤10um | LTV： | ≤2.0um within an area of 5x5mm2 | PLTV： | ≥95% 3mm from excluded | BOW： | -25um≤Bow≤+25um | 籽晶區(qū)域： | to be within the center 3mm of the water | Q值： | ≥2million | 邊緣倒角； | edge rounding |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)尺寸：dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm; 拋光情況：雙拋；單拋; 表面粗糙度Ra:<5A 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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