- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
超薄Si片
- 產(chǎn)品概述：
- 化學(xué)符號(hào)為Si,主要用途有：制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件及太陽(yáng)能電池襯底等材料。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品參數(shù)
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摻雜物質(zhì) | 摻B | 摻P | 類型 | P | N | 電阻率Ω.cm | 10-3 ~ 40 | 10-3 ~ 40 | EPD(cm-2 ) | ≤100 | ≤100 | 氧含量( /cm3 ) | ≤1.8 x1018 | ≤1.8 x1018 | 碳含量( /cm3 ) | ≤5x1016 | ≤5x101 |
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| 常規(guī)尺寸
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晶體方向：<111>； <100>； <110> ± 0.5° 或特殊的方向 常規(guī)尺寸：dia2"x0.1mm、 dia2"x0.2 mm； 尺寸公差：dia2"直徑公差±0.4mm；厚度公差±25um； 表面粗糙度：Ra<10A 同時(shí)可提供熱氧化SiO2層的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基!歡迎您的咨詢！ |
| 備注
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋單片盒或25片插盒封裝 |
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