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Ge晶體基片
- 產品概述：
- 化學符號為Ge?，主要用途有：制作半導體器件、紅外光學器件及太陽能電池襯底。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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晶體結構： | 立方：a = 5.6754 ?； | 生長方法： | 提拉法； | 密度： | 5.765 g/cm3 | 熔點： | 937.4 ℃ | 熱傳導性： | 640 | 摻雜物質： | 不摻雜；摻Sb；摻Ga | 類型： | /；N；P； | 電阻率W.cm： | >35；0.05；0.05-0.1； | EPD： | <4x103/cm2； |
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| 產品規格
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晶體方向: <111>，<100>and<110>± 0.5o 標準尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm （<110> Ra<5A，不化拋） 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝 |
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皖公網安備 34012302000974號
